エピタキシャル成長を用いた成膜加工装置

エピタキシャル成長は、単結晶の薄膜を成長させる方法です。エピタキシャル成長を用いた成膜加工装置にはさまざまな種類があるため、成膜加工会社を選ぶ際はエピタキシャル成長に関してもチェックしましょう。ここではエピタキシャル成長の特徴とエピタキシャル成長を用いた成膜加工装置のメリットを紹介します。

エピタキシャル成長の特徴

エピタキシャル成長とは、単結晶基板上に結晶方位がそろった、単結晶の薄膜を成長させる方法です。エピタキシャル成長法には３種類ありますが、ここではよく使われている気相と液相について紹介します。

気相エピキタシー

エピキタシー層とする原料を高温で蒸気にします。そして結晶基板上に接触させ、積層していきます。気相エピキタシーには、さらに３つの種類があります。

• MOCVD法：
  有機金属化合物蒸気から結晶を成長させます。LEDを旺盛する金属にメチル基をつけることで、常温で高い蒸気圧を有する液体、または固体の有機金属材料が得られます。
• MBE法：
  超高真空中で材料を加熱蒸発させます。蒸発分子の飛散方向をそろえたジェット流を加熱した基板上に照射し、結晶成長させる方法です。
• HVPE法：
  高温によって気体となった塩化物ガスから結晶を成長させます。LEDを構成している金属材料の塩化ガスと非金属材料である水素化物ガスを基板上で反応させて、半導体結晶を成膜する方法です。

液相エピキタシー

エピキタシー層の原料を溶媒に溶かし、結晶基板上にのせた後、溶液の温度を下げて結晶を成長させます。溶液の温度を下げ、過飽和状態にする点がポイントです。

エピタキシャル成長を用いた成膜加工装置のメリット

エピタキシャル成長を用いた成膜加工装置を使用する場合、そのメリットにも知っておきましょう。使用する装置によって異なりますが、ウェーハを高速回転させることができる装置の場合、炉内の原料ガスの輸送効率は増大します。ウェーハ表面に到達する原料ガスの濃度を上げられるため、原料ガスの使用量を増やすことなく、成長速度が高められます。

さらに、装置を使用することで得られる大きなメリットは、低コスト化や高品質化です。成膜加工装置を使用すると、スピーディーでも高い技術での成膜加工が叶えられます。大量生産においても、成膜加工装置の使用は欠かすことができません。

エピタキシャル成長に注目して成膜加工会社を選ぼう

成膜加工会社には、それぞれ加工の特徴があります。エピタキシャル成長に関しても、考え方や取り扱い方が異なるため、会社ごとに特色が出るでしょう。成膜加工会社を選ぶ際は、エピタキシャル成長にも注目してみてください。以下ページでは、成膜加工を行っている会社を紹介しています。これから成膜加工を行いたい、エピタキシャル成長での成膜加工を検討しているという場合は、ぜひ参考にしてください。

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